FACILITIES 設備案内
以下の装置をご利用いただけます。下記以外にも本学が保有する装置もご利用可能です。
装置利用料はこちら。
成 膜
スパッタ（金属、絶縁体）蒸着装置
仕様
芝浦エレテックCFS-4ES
・平行平板型、ターゲット現有
（Ti, Al, Ag, Pd, SiO2, Al2O3, SiN, Au）
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
多機能薄膜作製装置
仕様
12元マグネトロンスパッタカソードにより強磁性材料も成膜可能
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
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原子層堆積装置
仕様
Ultratech/Cambridge Nano Tech, Fiji F200
・熱、オゾンおよびプラズマ酸化方式が選択可能
・Al2O3, SiO2, SiNおよびAlNの成膜が可能
・小片から8インチφまでの成膜が可能
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
スパッタ・電子ビーム蒸着複合装置
仕様
Moorfield MiniLab-ES125A EB
・スパッタ（RF, DC）と電子ビーム蒸着を1チャンバーで切り替え使用可
・ロードロック室でソフトエッチング可能
・基板サイズ4インチ、加熱最高500℃
・膜厚コントローラとレシピによる成膜制御
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
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洗浄・熱処理・不純物処理
洗浄ドラフト一式
仕様
シリコン専用および化合物半導体専用のドラフト群
・小型～太陽電池156mm角基板等
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
(1)アンモニア過水（APM）洗浄
(2)塩酸過水（HPM）洗浄
(3)希フッ酸（DHF）洗浄
(4)硫酸過水（SPM）洗浄
(5)FPM cleaning各種ウェットエッチング 等
シリコン専用の各種熱処理（酸化、拡散）装置一式
仕様
横型および縦型、酸化・拡散炉一式
・シリコンウェハーの酸化および不純物拡散（リンおよびボロン）
・Φ3インチまでのシリコン基板
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
酸化したSiマイクロ流路を利用したマイクロプラズマの点灯
リソグラフィ
電子線描画装置CABL-AP50S/RD
仕様
クレステックCABL-AP50S
描画最小径10nm
つなぎ合わせ精度50nm/最大1000μm□
グラデーション歪補正可能
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
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マスクレス露光装置
仕様
（株）大日本科研 MX-1204
・Φ4インチにポジ型フォトレジスト（膜厚1μm以上）に、2μm幅のラインアンドスペースを全面（外周3mm除く）に描いたときに、描画時間が30分程度。露光パターン幅のバラツキが100nm(1σ)以下。
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
マスクアライナ装置
仕様
ズース・マイクロテック MA6 裏面アライメント可能、共和理研K-359SDコーター、ベーキング、露光、現像装置一式
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
光検出素子
レジスト処理装置（アッシング）
仕様
特注（VICインターナショナル、VPA-100改造）材料制限は少ない（要相談）、φ4インチまで、UVキュア処理装置（自作）と合わせて使う。
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
UVキュアを用いて作った
レジスト膜の多段構造
エッチング・その他、後工程
Reactive Ion Etching 装置（非Boschプロセス）
仕様
サムコ RIE-10NR
・CF4, O2, SF6を用いたレジストアッシングや、SiおよびSiO2、石英ガラス、窒化膜のエッチング
・Φ6インチまでのガラス及びシリコン基板に対応
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
エッチングで形成したマクロ流路
成果報告書10-3010-31
Si基板に形成した
マイクロ流路中心部
Deep Reactive Ion Etching装置（Boschプロセス）
仕様
住友精密工業 Multiplex-ASE-SRE-SE
・Φ4インチ シリコン用（金属剥き出しサンプルは禁止）
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
渦巻状の溝
イオンミリング装置
仕様
日立IM-4-1
・加工材料：一般的な金属
・最大加工領域：3”基板
・加工速度の目安： 加速電圧600V 減速電圧200V 加速電流120mA 傾斜角-30° でアルミのエッチング速度2.4μm/h
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
幅7.5 μm, 深さ6.7μmの穴アレイを加工した工具鋼SKD11
ダイシング装置
仕様
岡本工作ADM-6DBV
・φ6インチ以下基板のダイシング加工
・被切断材質はシリコン、石英基板、サファイア等
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
様々なウエハのダイシング各種支援に使用
計測・分析
光学式三次元形状測定機
仕様
計測精度（xy:0.5μm, z:0.4μm）
サイズmm立体上の数μm微細構造評価が可能
連結測定で最大300x150xH69mmまで計測可能
全周測定により断面形状を非破壊計測可能
バリ計測可能
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
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エリプソメーター
仕様
GAERTNER・LSE型ストークス偏光解析装置
光源：632.8nm HeNeレーザ ビーム径 ： 1mm
測定ステージ：～300mm対応
精度：膜厚±0.1nm、屈折率±0.002
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
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電界放出形走査電子顕微鏡（FE-SEM）
(電子ビーム描画機能付属）
仕様
日本電子FESEM JSM6500Fに東京テクノロジーのBEAM DRAWを付加した電子線描画装置。最小描画線幅50nm
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
ナノ物性測定用プローブ顕微鏡システム
仕様
ブルカー Multimode顕微鏡
・導電性（TUNA)
・表面電位、STM機能
・原子、分子分解能
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
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デジタルマイクロスコープ群
仕様
Keyence VHX-600および、フリーアングル（斜め）低倍観察VH-5500など
・測微機能および3次元表示機能付きデジタルマイクロスコープ
・材料は不問
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
3次元的な形状・加工の評価
偏光顕微鏡（青色レーザー照射可能）
仕様
ネオアーク製偏光顕微鏡（極Kerr、縦kerr効果）
・対物レンズ50X
・レーザー波長405nm、直線偏光、円偏光切り替え可能
・磁区観察と同時にレーザー照射可能
・外部磁界垂直方向で最大15kOe、面内方向で最大3kOeなど
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
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ラマン分光装置
仕様
レニショー inVia Reflex
・マッピング可能（最少100nmステップ）
・試料サイズ mm～cm
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
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磁気光学効果測定装置
仕様
印加磁界 最大±2Ｔ
試料温度 室温～250度、室温～－77度
測定感度 10＾－3度
波長範囲 260nm～800nm
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
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触針式プロファイラ（段差計）
(Alpha-Step D-500）
仕様
φ4インチ程度（XY移動範囲は20x80mm）
レーザー利用の光てこ方式で、形状変化への追従性向上
垂直分解能0.038nm、段差測定再現性1σ＝0.5nm
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
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3次元光学プロファイラ（NewView9000）
仕様
急峻な穴構造であっても、底面、壁面（一部）、上面が分離されずに確度高く計測可能
斜面は、粗面で85°、鏡面で40°まで形状計測可能
画素数が旧機種からxy軸共に3倍弱増加して1600x1200に増加
支援例、微細加工例（支援年度、支援番号）
デザイン幅5µm角の四角柱（高さ7.9µm）
ピッチ10µmアレイのレジストパターン測定例
